Revolucionando la Memoria: La Ferrita de Bismuto y sus Nuevas Propiedades Magnéticas
Un equipo de investigadores de la Universidad de Ciencia y Tecnología de Pekín (USTB) y del Centro de Física de Materiales del CSIC en el País Vasco ha realizado un importante avance en el estudio de la ferrita de bismuto, un semiconductor que combina características de imanes con la capacidad de generar electricidad. Este semiconductor ha sido objeto de investigación durante más de 50 años, y su complejidad sigue fascinando a la comunidad científica. Recientemente, los científicos han descubierto que al sustituir parte del oxígeno de la ferrita por azufre, la fuerza magnética se incrementa hasta 62 veces. Linxing Zhang, uno de los principales autores del estudio, explica que esta modificación cambia la estructura del semiconductor y mejora la manera en que los átomos de hierro se agrupan, aumentando así la imantación.
El avance en las propiedades magnetoeléctricas de la ferrita de bismuto es crucial para el desarrollo de dispositivos de almacenamiento de información más eficientes y económicos. Según Yue-Wen Fang del CSIC, este hallazgo podría llevar a crear chips de memoria que no solo sean de mayor capacidad, sino que también consuman menos energía. La clave radica en la habilidad del material para alternar entre estados estables de ‘0’ y ‘1’, similar a un interruptor de luz. Este mecanismo permite mantener la información guardada incluso en caso de un corte de electricidad, a diferencia de la RAM dinámica convencional, que pierde su contenido sin energía. Esto posiciona a la ferrita de bismuto como un material prometedor para aplicaciones en dispositivos que requieren un uso energético optimizado.
Además, en investigaciones complementarias, Zhang y Fang han desarrollado un nuevo material llamado Bi0,5Sm0,5FeO3, que permite ajustar la tensión interna del semiconductor, afectando sus propiedades electrónicas y lumínicas. Este nuevo material ha demostrado ser capaz de alcanzar voltajes de hasta 1,56 V, el más alto registrado en estos dispositivos. La combinación de luz y voltaje les ha permitido explorar la creación de un tipo de memoria multinivel no volátil. Este desarrollo representa un avance significativo, ya que permite almacenar más información sin perderla al apagar el dispositivo. Así, la investigación en ferritas y semiconductores sigue siendo un campo de enorme potencial, con implicaciones importantes en la tecnología futura.
